- N-SEM(Normal Scanning Electron Microscope)
- 텅스텐 필라멘트로 부터 생성된 전자를 가속하여 렌즈 시스템으로 집중, Sample 표면에 스캔하여 생성되는 반사 전자(Secondary Electrons,SE)와 후방 산란전자(Backscattered Electrons, BSE) 등의 신호를 감지하고 이미지로 변환하여 물체의 미세한 표면 구조와 특성을 고해상도로 관찰하는분석 장비
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STEP. 01
Ensure sample conductivity
Sample 전도성 확보 ( Pt, Au Coating 및 C-tape 전성 결합 )
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STEP. 02
Selection of appropriate detectors
분석 목적에 따른 적합한 Beam Detector 선정
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STEP. 03
The formation of an electric field
강한 전자기장을 형성시켜 electron Beam 주사
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STEP. 04
Electronic signal detection
필요한 전자신호를 검출하여 원하는 분석 Data
- Resolution
- 4 nm (at 20 kV), 8 nm (at 3 kV), 15 nm (at 1 kV)
- Magnification
- x30 ~ x300,000 (Photo Magnification)
- Acceleration Voltage
- 1 ~ 30 kV
- EDS Measuring Range
- B(5) ~ U(92)
- Measuring Mode
- SE Mode – 높은 에너지를 갖는 1차 전자가 표면에 충돌하여 방출된 전자를 포집 Image 검출
BSE Mode – 1차 전자가 핵을 선회 후 속도가 줄지 않고 시료 밖으로 다시 튀어 나가는 후방 산란전자 포집 Image 검출
BSE-C(Composition) : 조성에 따른 Image 대비
BSE-T(Toffer) : 표면 요철 및 거칠기 강조
BSE-S(Shadow) : C 와 T 신호의 조합으로 Soft한 Image 연출
- Sample Size
- (30 x 30 x 30) mm
- Polishing
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- Ion Milling
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- Powder 입자 형상 분석
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- Coating 단면 및 두께 분석
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- Coating 단면 및 성분에 따른 분포 분석
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- Hole 내부 오염물 분석
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